Intel se ha asociado con Applied Materials para impulsar los futuros avances en el sector de la fabricación de semiconductores.

Según las empresas, la colaboración abarcará avances tanto en la fase inicial como en la final de la línea de producción, y el trabajo se llevará a cabo tanto en el campus de I+D de Intel en Hillsboro, Oregón, como en el Centro EPIC (Equipment and Process Innovation and Commercialization) de Applied en Silicon Valley, un centro de I+D de semiconductores cuya inauguración está prevista para finales de este año.

La colaboración se centrará en los transistores de próxima generación, la reducción de la escala de las interconexiones y el desarrollo de tecnologías avanzadas de encapsulado para el apilamiento 3D basado en Foveros, con el fin de permitir una mayor densidad de interconexiones, un mejor suministro de energía y un rendimiento térmico mejorado para las plataformas informáticas de alto rendimiento necesarias para las cargas de trabajo de IA agentiva.

«Dado que la hoja de ruta de la fabricación de chips se vuelve más compleja en cada nodo de proceso, acelerar las innovaciones en dispositivos semiconductores, interconexiones y encapsulado requiere una colaboración más estrecha entre I+D y fabricación», afirmó el Dr. Prabu Raja, presidente del grupo de productos semiconductores de Applied Materials. «Estamos deseando trabajar en estrecha colaboración con Intel como socio fundador del EPIC Center para acortar los ciclos de desarrollo y llevar nuevas tecnologías al mercado más rápidamente».

Naga Chandrasekaran, vicepresidente ejecutivo, director de tecnología y operaciones y director general de Intel Foundry, añadió: «Acelerar nuestra I+D para seguir el ritmo de la rápida expansión de la infraestructura de IA es fundamental para ofrecer la tecnología, la excelencia en la fabricación y los servicios de fundición que nuestros clientes esperan de Intel Foundry. El nuevo EPIC Center de Applied Materials ofrece un entorno en el que nuestros equipos pueden colaborar aún más estrechamente y a mayor velocidad para acelerar el desarrollo de materiales y las innovaciones en los procesos».

A principios de este año, Applied anunció su colaboración con SK Hynix para desarrollar y desplegar conjuntamente DRAM de próxima generación y memoria de gran ancho de banda en su centro de I+D EPIC, valorado en 5.000 millones de dólares, situado en Silicon Valley.