A Comissão Europeia (CE) aprovou um pacote de financiamento de 920 milhões de euros para apoiar a construção da nova fábrica de chips da Infineon em Dresden, na Alemanha.

O financiamento permitirá que o fabricante alemão de chips conclua seu projeto denominado MEGAFAB-DD. A empresa afirmou que produzirá em suas instalações tanto tecnologias de potência discreta quanto circuitos integrados analógicos/de sinal misto.

Em um comunicado, a CE afirmou que a planta de fabricação será a primeira na Europa capaz de alternar rapidamente a produção entre as duas famílias de tecnologias, mantendo ao mesmo tempo uma alta capacidade produtiva. A instalação inicial oferecerá capacidades de processamento, teste e separação de wafers e deverá operar em plena capacidade até 2031.

No total, espera-se que a Infineon invista aproximadamente 3,5 bilhões de euros no projeto. O financiamento da comissão faz parte de um fundo mais amplo de 15 bilhões de euros estabelecido pela CE para apoiar iniciativas públicas e privadas no setor de semicondutores.

"A medida alemã de 920 milhões de euros aprovada hoje apoia uma megafábrica de última geração em Dresden", afirmou Teresa Ribera, vice-presidente executiva para a transição limpa, justa e competitiva da CE. "Este projeto contribuirá para o desenvolvimento de uma economia digital forte e resiliente na Europa e garantirá um fornecimento seguro de semicondutores para a indústria, ao mesmo tempo em que limita qualquer possível distorção da concorrência".

Além do projeto MEGAFAB-DD, a Infineon possui uma participação de 10% na fábrica da ESMC (European Semiconductor Manufacturing Company) da TSMC, também em Dresden. A planta está prevista para entrar em operação em 2027 e, quando concluída, produzirá 40.000 wafers por mês.

Em outubro de 2024, a Infineon apresentou os wafers de silício mais finos do mundo, com uma espessura de 20 micrômetros e um diâmetro de 300 milímetros. A empresa afirmou que esses wafers têm a metade da espessura dos wafers de última geração atuais, que medem entre 40 e 60 micrômetros.

Este anúncio ocorre menos de dois meses depois de o fabricante alemão de chips ter revelado que desenvolveu com sucesso os primeiros wafers de nitreto de gálio (GaN) de 300 mm de potência do mundo.