El dominio del silicio como semiconductor podría tener sus días contados, gracias al desarrollo de los más pequeños transistores de la historia con un material compuesto de arseniuro de indio y galio.

El nuevo transistor ha sido construido por un equipo de científicos que trabaja en los Laboratorios de Tecnología de Microsistemas del MIT (Massachusetts Institute of Technology). Y para su desarrollo han utilizado tres materiales (arsénico, indio y galio) que poseen gran velocidad de operación y de longitud de onda.

A pesar de contar con tan sólo 22 nanómetros de longitud, funciona con buena calidad, lo que le convierte en un candidato prometedor para sustituir al silicio en los dispositivos informáticos, según Jesús del Álamo, profesor perteneciente al Departamento de Ingeniería Eléctrica y Ciencias de la Computación del MIT y además copartícipe del proyecto.

Cabe señalar que el tamaño de los transistores está continuamente disminuyendo para responder a la demanda de los dispositivos informáticos, cada vez más inteligentes y rápidos. En este sentido, Del Álamo señala: “Cuantos más transistores puedes incluir en un chip, más poderoso será y más funciones va a poder realizar”.

Por otra parte, uno de los problemas que presenta el silicio es que al reducir su escala nanométrica se limita la cantidad de corriente que se puede producir, y por tanto su velocidad. Mientras que con el arseniuro de indio y galio, que ya se utiliza en comunicaciones a través de fibra óptica y tecnologías de radar, se consiguen propiedades eléctricas asombrosas, según Del Álamo.

El desarrollo logrado por este equipo de investigadores demuestra que es posible reducir el tamaño de los transistores, al tiempo que mejoran su rendimiento. Y por tanto, puede que esté a punto de llegar a su fin la Ley de Moore, que sostiene que aproximadamente cada dos años se duplican el número de transistores, algo que aún se puede constatar.

Aunque muchas de las técnicas utilizadas por este equipo ya se emplean en la fabricación de silicio, rara vez se han aplicado para fabricar transistores semiconductores compuestos. Jesús del Álamo comenta que “cuando se habla de integrar miles de millones de pequeños transistores en un chip, entonces tenemos que reformular completamente la tecnología de fabricación de estos semiconductores compuestos, más que centrarse en los transistores de silicio”.

El próximo objetivo que se ha fijado Del Álamo es trabajar en mejorar aún más el rendimiento eléctrico, y por tanto la velocidad del transistor. Una vez que esto se haya logrado, se tratará de reducir todavía más el dispositivo. Así, la meta final será conseguir un transistor de tan solo 10 nanómetros de longitud.