La Comisión Europea (CE) ha aprobado un paquete de financiación de 920 millones de euros para apoyar la construcción de la nueva fábrica de chips de Infineon en Dresde, Alemania.
La financiación permitirá al fabricante de chips alemán completar su proyecto denominado MEGAFAB-DD. La empresa ha dicho que producirá en sus instalaciones tanto tecnologías de potencia discreta como circuitos integrados analógicos/de señal mixta.
En un comunicado, la CE ha dicho que la planta de fabricación será la primera en Europa en poder cambiar rápidamente la producción entre las dos familias de tecnologías manteniendo al mismo tiempo una alta capacidad de producción. La instalación inicial ofrecerá capacidades de procesamiento, prueba y separación de obleas y se espera que esté funcionando a plena capacidad en 2031.
En total, se espera que Infineon invierta aproximadamente 3.500 millones de euros en el proyecto. La financiación de la comisión forma parte de un fondo de financiación más amplio de 15.000 millones de euros establecido por la CE para apoyar iniciativas públicas y privadas en el ámbito de los semiconductores.
"La medida alemana de 920 millones de euros aprobada hoy respalda una megafábrica de última generación en Dresde", afirmó Teresa Ribera, vicepresidenta ejecutiva para la transición limpia, justa y competitiva de la CE. "Este proyecto respaldará el desarrollo de una economía digital fuerte y resiliente en Europa y garantizará un suministro seguro de semiconductores para la industria, al tiempo que limita cualquier posible distorsión de la competencia".
Además del proyecto MEGAFAB-DD, Infineon posee una participación del 10 por ciento en la planta ESMC (European Semiconductor Manufacturing Company) de TSMC, también en Dresde. La planta está prevista que esté operativa en 2027 y, cuando esté terminada, producirá 40.000 obleas al mes.
En octubre de 2024, Infineon presentó las obleas de silicio más delgadas del mundo, con un grosor de 20 micrómetros y un diámetro de 300 milímetros. La compañía ha dicho que las obleas tienen la mitad del grosor de las obleas de última generación actuales, que miden entre 40 y 60 micrómetros.
Este anuncio se produce menos de dos meses después de que el fabricante de chips alemán anunciara que había desarrollado con éxito las primeras obleas de nitruro de galio (GaN) de 300 mm de potencia del mundo.