El Instituto Avanzado de Tecnología (SAIT) de Samsung abrirá una contraparte de I+D en Silicon Valley dedicada al diseño de chips de IA.
Según un informe de Business Korea, la nueva instalación de investigación, denominada Laboratorio de Advanced Processor Lab (APL), se encargará principalmente del desarrollo de semiconductores de próxima generación, con un enfoque específico en los chips RISC-V.
RISC-V es una arquitectura de conjunto de instrucciones (ISA) de estándar abierto basada en principios RISC establecidos, que se proporciona bajo licencias de código abierto que no requieren tarifas.
Citando fuentes de la industria, Business Korea ha informado que el objetivo final del instituto APL es diseñar chips de inteligencia artificial para Samsung basados en la arquitectura RISC-V y, según se informa, la compañía ya ha establecido un grupo de trabajo interno para comenzar el proceso de investigación.
La noticia llega un mes después de que Samsung Electronics anunciara que había establecido el Samsung Semiconductor AGI Computing Lab para desarrollar un nuevo tipo de chip para la próxima iteración de inteligencia artificial.
El laboratorio, que estará ubicado tanto en EE.UU. como en Corea del Sur, se centrará en el diseño de semiconductores para satisfacer las demandas de procesamiento intensivo de computación de la inteligencia artificial general (AGI).
En una publicación de LinkedIn, el director ejecutivo de Samsung Semiconductor, Kye Hyun Kyung, dijo que el laboratorio de computación centrará inicialmente sus esfuerzos de I+D en el desarrollo de chips para LLM, y que el desarrollo de chips para AGI se realizará en una fecha posterior.
A principios de este mes, el gobierno de EE.UU. anunció que otorgaría a Samsung Electronics 6.400 millones de dólares en financiación directa en virtud de la Ley de Ciencia y Chips de EE.UU. para apoyar el desarrollo del grupo de semiconductores de 40.000 millones de dólares de la empresa en varias ubicaciones de Texas.
En la ciudad de Taylor se construirán dos fundiciones de semiconductores que producirán chips de 4 nm y 2 nm, una instalación de empaquetado avanzado para un gran ancho de banda de memoria y una instalación de investigación y desarrollo.
La inversión también se utilizará para ampliar una planta existente de Samsung en Austin, respaldando la producción de tecnologías de proceso de silicio sobre aislante (FD-SOI) completamente agotadas, un proceso que permite un control de transistores más eficiente en comparación con las tecnologías convencionales a granel.